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第四章 优化MOSFET模型

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1d9ΔV15t成正比。如果由于 L小或 Vd大等原因导致 Isub变大,则τ会变小。因此,Isub(可能还有光发射)是τ的有力预测因子。

    已发现比例常数因不同技术而异,相差 100倍,这为未来通过电介质/界面技术的改进提供了显着提高可靠性的希望。一个简单的物理模型可以将沟道场 Em与所有器件参数和偏置电压相关联。描述了它在解释和指导热电子缩放中的用途。”

    因为胡正明构建的数学模型很简单,简单的描绘了MOSFET退化的本质。

    越是简单的模型,越难进行优化。

    但是这封邮件,为胡正明提供了一个新的角度来对这个问题进行思考。

    优化后的数学模型,能够解释更多的现象,从而对热电子缩放的现象进行更好的监控。

    为了看这封邮件,胡正明完全忘了还有咖啡这回事。

    他看完核心部分后,再回过头去看了眼是谁发给他的邮件,zhouxin@,来自燕大的邮件。

    “周新?我没听过燕大半导体领域有这么一号人物啊?而且按理来说不应该发论文吗?”胡正明内心很是纳闷。

    能够做出这种级别创新的一般来说,不会是什么无名之辈。

    胡正明又看了下邮件的最后部分,邮件最后部分表达了希望来他手下读博。

    胡正明这下才懂,对方为什么给他发这封邮件。

    原来是通过这种方式来吸引他的注意力。

    之前他也收到过华国学生寄来类似的邮件,通过表达自己对科研的看法,以及读一些论文之后的想法,试图从他这里获得一封推荐信。

    放在二十年后,这叫套磁。

    只是这些华国学生的跨国邮件充其量只是一个想法。

    而周新发过来的,补充一点总述,就称得上一篇完整的论文,而是是可以发顶刊的论文。

    胡正明打算回一封邮件给对方,打一通电话,详细聊聊。

    如此高质量的论文,出自一名大学生之手还是很罕见的。

    胡正明希望通过直接通话,对对方的水平进行进一步的确认。
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