37年，经小型化后的mt管发明于1939年。
2.晶体管
半导体器件大致分为晶体管和集成电路（ic）两大部分。第二次世界大战后，由于半导体技术的进步，电子学得到了令人瞩目的发展。
晶体管是美国贝尔实验室的肖克莱。巴丁，布拉特在1948年发明的。
这种晶体管的结构是使两根金属丝与低掺杂锗半导体表面接触，称为接触型晶体管。
1949年，开发出了结型晶体管，在实用化方面前进了一大步。
1956年开发出了制造p型和n型半导体的扩散法。它是在高温下将杂质原子渗透到半导体表层的一种方法。1960年开发出了外延生长法并制成了外延平面型晶体管。外延生长法是把硅晶体放在氢气和卤化物气体中来制造半导体的一种方法。
有了半导体技术的这些发展，随之就诞生了集成电路。
3.集成电路
大约在1956年，英国的达马就从晶体管原理预想到了集成电路的出现。
1958年美国提出了用半导体制造全部电路元器件，实现集成电路化的方案。
1961年，得克萨斯仪器公司开始批量生产集成电路。
集成电路并不是用一个一个电路元器件连接成的电路。而是把具有某种功能的电路“埋”在半导体晶体里的一个器件。它易于小型化和减少引线端，所以具有可靠性高的优点。
集成电路的集成度在逐年增加。元件数在100个以下的小规模集成电路，100~1000个的中规模集成电路，1000~100000个大规模集成电路。以及100000个以上的超大规模集成电路，都已依次开发出来，并在各种装置中获得了广泛应用。
电磁效应
物质中的电效应是电学与其他物理学科(甚至非物理的学科)之间联系的纽带。物质中的电效应种类繁多。有许多已成为或正逐渐发展为专门的研究领域。比如：
电致伸缩、压电效应(机械压力在电介质晶体上产生的电性和电极性)和逆压电效应、塞贝克效应、珀耳帖效应(两种不同金属或半导体接头处，当电流沿某个方向
265 物理学之电学 5-->>(第2/3页)，请点击下一页继续阅读。