误差。
让我想想，对了，我们当时在研发KrF光源的时候还要对控制进行考虑，因为KrF实现了更高的分辨率，所以需要更严格的制程控制要求。
需要对光刻胶涂覆厚度、曝光剂量、显影过程等参数进行更精确的控制，以保证光刻成像质量和产量。
这么多困难，我们照样克服了，最终KrF光源代替了g线和i线，成为了今天的最先进的制程光源。
同样未来短波长的光源势必然会代替长波长的光源，这是技术进步的必然。
我们刚刚讨论的困难只是暂时的困难。”
ASML、尼康和佳能只是暂缓了在ArF上的投入，而不是停止了在ArF技术路线上的投入。
后来ASML实现弯道超车，也是因为他们选择了正确的技术路线，ArF光源以水为介质，在光刻胶上面抹一层水。
水的介质折射率是1.44，193纳米÷1.44≈134纳米，ArF光源的波长进一步减少了。
ASML能够干掉尼康和佳能，垄断光刻机领域，他们在技术路线的两个关键节点都做出了正确的选择。
应该稳健的时候他们比尼康稳健，从而在光刻机市场站稳了脚跟。
应该激进的时候他们比尼康激进，从而占据了高端市场，把高额利润全部吃掉了，后续一直保持住了技术领先。
ArF技术路线突破之后，ArF的波长是193nm，他最多能够制造65nm的芯片。
如果要制造40nm制程以下的芯片，需要找到160nm以下的光源。
尼康和佳能等企业选择的是157nm的F2激光，而ASML找到了光源做介质直接一步到位了。
当然没有加一层水那么简单。
“我关于ArF技术路线一直认为是有办法解决的。
首先是需要专门针对ArF光源设计对应的光刻胶，其次是研发抗反射涂层，然后是改进光刻机的光学系统，找蔡司定制更先进的透镜。
来实现更高的数值孔径和分辨率。
同时在曝光过程中进行优化。我专门针对ArF光源设计了一套分辨率增强技术。
包括辅助特征、离轴照明、双曝光技术等，用以改善图案传输质量和提高分辨率。”林本坚很兴奋，难得见到这么懂ArF技术的同行。
其他懂这玩意的都签了保密协议，林本坚和他们聊的很不尽兴。
华国差的不仅仅是光刻机，差的是整个高端制造业，即便能造出光刻机，光学镜头也能卡你脖子。
不过蔡司是德意志企业而且没上市，阿美利肯的长臂管辖管不到蔡司。
周新听完之后感慨对方不愧是大师级人物，还没有加入台积电已经有完整的计划了。
同样一件事，有的人是纸上谈兵，有的人是决胜千里之外。
华国价值观以结果为导向，周新知道林本坚未来的成就，更别说林本坚说的这些都是绝对的干货。
又和林本坚探讨了一番ArF技术路线的未来后，周新问：“林伯，我打算成立一家光刻机公司，我需要真正懂行的人来帮我。
你有没有意愿来帮我做事，我给你的职位是研发主观。
首批研发资金十亿美元，我给你百分之二十的股份，但是你加入之后需要签竞业协议，同时我们的光刻机公司会放在华国。”
林本坚听完前半句话想马上答应下来，十亿美元的研发资金，百分之二十的股份。
这是何等的信任，光是十亿美元的研发资金，这家企业也最少值10亿美元。
直接就是给你两个亿。
听完后半句他心一凉：“Newman，我知道你是华国人，希望帮助华国在半导体领域有所发展。
我也是华裔，在有能力和有机会的前提下，我同样希望为华国的半导体行业发展进步贡献自己的力量。
但是光刻机的研发，非常依赖于和芯片制造厂商之间的合作。
华国没有什么成熟的芯片制造厂商，我们把研发基地放在华国，很难有所进展。
不管我是否答应你的条件，我都建议你放在弯弯或者阿美利肯。
弯弯有台积电，阿美利肯有英特尔的芯片代工厂。
在这两个地方，你才有机会把你的产品在生产环境中经过充分的实验。”
ASML的研
第一百三十二章 提前截胡台积电（4K）-->>(第2/3页)，请点击下一页继续阅读。